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| Categories | Low Voltage Mosfet |
|---|---|
| Brand Name: | Huixin |
| Model Number: | BSS138 |
| Certification: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
| Place of Origin: | China |
| MOQ: | 3000pcs |
| Price: | Negotiable |
| Payment Terms: | T/T, MoneyGram |
| Supply Ability: | 1 billion pieces/ Month |
| Delivery Time: | 4-5Weeks |
| Packaging Details: | 3000pcs / Reel |
| Type: | N-Channel 50-V(D-S) MOSFET |
| Material: | Silicon |
| Package: | SOT-23 |
| Drain-Source Voltage: | 50V |
| Continuous Drain Current: | 0.22A |
| Power Dissipation: | 0.35W |
| Applications: | Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Display, Memories, Transistors, etc. |
| Features: | Rugged and Reliable |
| Parameter | Symbol | Value | Unit | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain-Source Voltage | VDS | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Continuous Gate-Source Voltage | VGSS | ±20 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Continuous Drain Current | ID | 0.22 | A | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Power Dissipation | PD | 0.35 | W | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Thermal Resistance from Junction to Ambient | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Operating Temperature | Tj | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Storage Temperature | Tstg | -55 ~+150 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Units | ||||||||||||||||||||||||||||
| Off characteristics | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID =250µA | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Gate-body leakage | IGSS | VDS =0V, VGS =±20V | ±100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Zero gate voltage drain current | IDSS | VDS =50V, VGS =0V | 0.5 | µA | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VDS =30V, VGS =0V | 100 | nA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| On characteristics | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gate-threshold voltage (note 1) | VGS(th) | VDS =VGS, ID =1mA | 0.80 | 1.50 | V | |||||||||||||||||||||||||||||
| Static drain-source on-resistance (note 1) | RDS(on) | VGS =10V, ID =0.22A | 3.50 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||||||
| VGS =4.5V, ID =0.22A | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Forward transconductance (note 1) | gFS | VDS =10V, ID =0.22A | 0.12 | S | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Dynamic characteristics (note 2) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Input capacitance | Ciss | VDS =25V,VGS =0V, f=1MHz | 27 | pF | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Output capacitance | Coss | 13 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Reverse transfer capacitance | Crss | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Switching characteristics | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Turn-on delay time (note 1,2) | td(on) | VDD=30V, VDS=10V, ID =0.29A,RGEN=6Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Rise time (note 1,2) | tr | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Turn-off delay time (note 1,2) | td(off) | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fall time (note 1,2) | tf | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain-source body diode characteristics | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Body diode forward voltage (note 1) | VSD | IS=0.44A, VGS = 0V | 1.4 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
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0.35W 0.22A Silicon Low Voltage Mosfet BSS138K N Channel Rugged And Reliable
Low Voltage Mosfet Portable Devices Use SOT-23 P Channel BC2301
Plastic N Channel BC3400 350mW 5.8A Low Voltage Mosfet
BSS138K N Channel 0.35W 0.22A Silicon Power MOSFET
MMBT7002W 60V 115mA N Channel Signal MOSFET SC-70 SOT-323
